DB11/T 1144-2014 盆栽春石斛蘭栽培技術規(guī)程.pdf

<p>ICS 65.020.20 B 62 備案號：44485-2015 DB11 北京市 地方標準 DB11/T 11442014 盆栽春石斛蘭栽培技術規(guī)程 Technical regulation of cultivation for potted nobile style dendrobium 2014 - 12 - 17發(fā)布 2015 - 04 - 01實施 北京市質量技術監(jiān)督局 &nbsp; 發(fā)布 DB11/T 11442014 I 目 &nbsp;次 前言. II 1 范圍 . 1 &nbsp;2 術語和定義 . 1 &nbsp;3 縮略語 . 1 &nbsp;4 組培苗生產(chǎn) . 2 &nbsp;5 溫室準備 . 2 &nbsp;6 基質準備 . 3 &nbsp;7 水質要求 . 3 &nbsp;8 種植容器 . 3 &nbsp;9 生根苗移栽 . 3 &nbsp;10 栽培管理 . 3 &nbsp;11 花期調控 . 4 &nbsp;12 病蟲害防治 . 5 &nbsp;附錄A（資料性附錄） MS培養(yǎng)基母液及培養(yǎng)基配制參數(shù)一覽表 . 6 &nbsp;附錄B（資料性附錄） 春石斛蘭栽培設施處理常用方法及常用藥劑一覽表 . 7 &nbsp;附錄C（資料性附錄） 春石斛蘭主要病蟲害及防治方法一覽表 . 8 &nbsp;DB11/T 11442014 II 前 &nbsp;言 本標準按照GB/T 1.12009給出的規(guī)則起草。 本標準由北京市園林綠化局提出并歸口。 本標準由北京市園林綠化局組織實施。 本標準起草單位：北京溫榆河花卉有限公司、北京市大東流苗圃。 本標準主要起草人：律江、司瑞新、李振鵬、李振堅、劉克林、姜青樟、王瑛、黃慶祝、邢立霞、薛敦孟、方志軍。 DB11/T 11442014 1 盆栽春石斛蘭栽培技術規(guī)程 1 范圍 本標準規(guī)定了盆栽春石斛蘭繁殖栽培養(yǎng)護的全過程，包括組培苗生產(chǎn)、溫室準備、基質準備、水質要求、種植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期調控、病蟲害防治等栽培養(yǎng)護環(huán)節(jié)。 本標準適用于盆栽春石斛蘭組培苗的溫室栽培管理。 2 術語和定義 下列術語和定義適用于本文件。 2.1 &nbsp;假鱗莖 pseudobulb 一種變態(tài)莖，粗短而肥厚，有節(jié)，葉生于節(jié)上。 &nbsp;2.2 &nbsp;鱗芽bulbil 從假鱗莖基部萌生出的葉芽。 2.3 &nbsp;花芽 flower bud 在假鱗莖節(jié)處與葉片相對的部位萌發(fā)的綠豆狀凸起，通常每芽可分化為24朵花。 2.4 &nbsp;高位芽 highbud seeding 在假鱗莖節(jié)上萌生出的新個體。 2.5 &nbsp;止葉 terminal leaf 生長在假鱗莖頂部，其葉鞘包圍的是一個圓錐狀節(jié)，節(jié)上偶見急劇縮小的葉形片狀體。 2.6 &nbsp;缺刻 notch 春石斛蘭葉片尖部的三角狀缺痕。 3 縮略語 下列縮略語適用于本文件。 DB11/T 11442014 2 6-BA：6芐基腺嘌呤（6-benzyladenine） NAA：萘乙酸（1-naphthaleneacetic acid） TWEEN-20：吐溫20（polysorbate20） 4 組培苗生產(chǎn) 4.1 培養(yǎng)基 宜選用MS為基本培養(yǎng)基；常用生長調節(jié)劑為6-BA、 NAA。培養(yǎng)基配制參數(shù)參見附錄A。 &nbsp;4.2 外植體選擇及處理 選擇品種純正、生長健康的植株，切取幼嫩的鱗芽或高位芽，清洗消毒后，進行表面滅菌，然后切取5mm莖尖進行接種培養(yǎng)。 &nbsp;4.3 培養(yǎng)條件 光照強度2000lx4000lx，光照時間12h/d，培養(yǎng)溫度25±2。 4.4 原球莖誘導 誘導培養(yǎng)基宜為MS+6BA2.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3% +瓊脂0.7%，pH值為5.25.4，培養(yǎng)25d30d。 4.5 繼代培養(yǎng) 繼代培養(yǎng)基宜為MS+6BA1.0 mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3% +椰乳150g/L+瓊脂0.7%，pH值為5.25.4，培養(yǎng)40d50d后分化出小苗。如果需要進一步擴繁，可將原球莖切成小塊進行多次轉接。 4.6 生根苗培養(yǎng) 生根培養(yǎng)基宜為1/2MS+NAA0.1mg/L+香蕉泥100g/L+活性炭0.1% +蔗糖2% +瓊脂0.7%，pH值為5.25.4。將株高大于5cm的小苗轉接到生根培養(yǎng)基上。 4.7 出苗 當根系大于等于3條，株高8cm左右時，即可將生根苗運送到溫室進行過渡栽培。 5 溫室準備 5.1 基本要求 栽培溫室應具備調控溫度、濕度、光照等環(huán)境因子的設備設施。 5.2 溫室處理 種植前清理溫室內部及周邊雜物、雜草。 種植前一周采用高效低毒殺蟲劑，噴灑地面、苗床、排水溝等，噴至表面布滿水滴為宜。 種植前2d3d采用廣譜性殺菌煙劑，密閉熏蒸12h24h，期間人員不得進入。熏蒸后充分通風6h12h。處理藥劑及使用方法參見附錄B。 DB11/T 11442014 3 6 基質準備 6.1 基質種類 應選擇透氣性好的栽培基質，常選擇水苔栽培，也可選擇樹皮、椰糠等栽培。 6.2 水苔處理 清水浸泡水苔4h6h，排掉多余水分后撈出水苔放入甩干機,脫水至排水口水流呈滴狀流出為宜。將水苔取出放至操作臺上備用。 7 水質要求 栽培水質pH值為6.57.0，EC值小于0.15ms/cm。不達標水質使用前需進行脫鹽、酸化處理。 8 種植容器 根據(jù)種苗的不同生長階段，可以選擇72目穴盤和口徑8cm×深8cm的白色塑料營養(yǎng)缽（又稱2.5寸盆）種植。通常2.5寸盆需要配合15孔植架一同使用。 9 生根苗移栽 9.1 煉苗 組培生根苗從培養(yǎng)間運送到溫室后，需要進行閉蓋2d3d，開蓋12h24h的煉苗過程。開蓋時間宜選擇在16:00以后進行。煉苗期間最適夜溫1618，最適日溫2024。相對濕度60%80%為宜。光照強度控制在2000lx5000lx之間為宜。 9.2 洗苗 準備好洗苗用的水盆、盛苗盤、殺菌劑等。 輕磕培養(yǎng)瓶底部使培養(yǎng)基松動，然后將瓶苗倒入盛有清水的盆中，洗凈根系及植株上殘留的培養(yǎng)基。將種苗根據(jù)大小分別擺放在不同的盛苗盤中。無根苗、黃弱苗、變異苗應舍棄。 9.3 種苗處理 一般可使用70%的甲基托布津1濃度液或75%的百菌清1濃度液，浸泡10min15min。通常在處理之后還應將組培苗放置在陰涼通風處晾苗1h2h，使根系表面略微發(fā)白后進行移栽。 9.4 移栽 在根系外圍均勻包裹水苔，將種苗種植在72目穴盤中。種植宜淺不宜深，以水苔包裹于根莖交界處為宜。 10 栽培管理 10.1 上盆 DB11/T 11442014 4 通常生根苗移栽45個月后上盆定植。將種苗從穴盤中拔出，剪去基部叢生矮小的假鱗莖，保留12個生長一致的健壯植株進行上盆。 在已經(jīng)抱團的根系外圍均勻包裹一層水苔后種入2.5寸盆中，保持水苔上表面與營養(yǎng)缽下環(huán)線相平。種植時水苔宜緊不宜松。 10.2 擺放 種苗擺放在15孔植架中。根據(jù)種苗大小分別擺放，以植株葉片輕度相錯為宜。擺放時應保持所有植株葉片朝向一致。 10.3 留芽 通常10月中旬鱗芽萌發(fā)，當假鱗莖生長至4cm5cm時進行留芽處理。選擇基部粗壯、節(jié)間較短的壯芽留下，每盆保留12個為宜。 10.4 支撐 當假鱗莖高度達到25cm30cm時進行支撐。 根據(jù)不同品種分別選取長度40cm50cm左右的包塑鐵絲對春石斛蘭進行支撐。將鐵絲插在葉片缺刻的背側，一直深入營養(yǎng)缽底部，然后用23根綁繩將其固定在鐵絲上。綁繩應捆綁的松一些，通常綁環(huán)大小控制在莖粗的23倍左右。 10.5 環(huán)境控制 春石斛蘭生長溫度832，最適夜溫1618，最適日溫2628。穴盤苗初期光照2000lx5000lx，后期逐漸提高到5000lx10000lx；2.5寸盆苗期光照10000lx15000lx。生長期相對濕度保持在60%80%為宜。 10.6 肥水控制 通常穴盤苗每隔10d15d施肥一次，交替施用氮磷鉀比例為30:10:10和20:20:20的復合肥15002000倍液，EC值在0.8ms/cm1.0ms/cm之間。2.5寸苗期每34個月在花盆中撒施氮磷鉀比例為14:14:14緩釋肥0.5g1g。一般采用噴淋設施澆水，可以避免2.5寸盆養(yǎng)護期間水管澆水對肥粒的沖擊。 11 花期調控 11.1 植株準備 11.1.1 催花株苗齡 當年移栽的春石斛蘭組培苗不能進行催花處理，只有經(jīng)過次年栽培之后的植株才能進行催花處理。催花處理以上年秋季萌發(fā)的假鱗莖為目標。 11.1.2 催花株挑選 7月份開始挑選株高一致、生長健壯的植株準備催花，并將其栽培密度調整到40株/m250株/m2。 11.1.3 止葉形成 DB11/T 11442014 5 通常8月初止葉形成，8月底假鱗莖開始增粗。如果止葉尚未形成，可手工掰掉上部23片葉及其莖尖，以促進假鱗莖成熟增粗。 11.2 催花株管理 加強通風、適當控水、增強光照至15000lx20000lx。同時，8月初每盆施氮磷鉀比例為15：9:12的控釋肥0.5g1g。 11.3 催花誘導 9月初開始根據(jù)外界溫度變化自然降溫，給催花株進行低溫誘導。 1012月開始正式催花，通常夜溫控制在812，日溫控制在1822。11月初在葉鞘基部形成花芽，12月下旬至1月初形成花苞，此時苞尖出鞘約1mm2mm。 催花期間應盡量保持溫度的平穩(wěn)，避免驟升驟降對催花結果造成不良影響。 11.4 花期調節(jié) 從苞尖出鞘1mm2mm到花朵初開通常需要40d50d。根據(jù)上市時間適當調低或調高生長溫度23，通?？裳舆t或提早開花7d10d。 12 病蟲害防治 春石斛蘭主要病害有花葉病、軟腐病、黃斑病、炭疽病、灰霉病等，主要蟲害有介殼蟲、紅蜘蛛、蛞蝓等。春石斛蘭主要病蟲害及防治方法參見附錄C。 DB11/T 11442014 6 A &nbsp;A &nbsp;附 錄 A （資料性附錄） MS培養(yǎng)基母液及培養(yǎng)基配制參數(shù)一覽表 表A.1給出了春石斛蘭組織培養(yǎng)MS培養(yǎng)基母液及配制參數(shù)。 表A.1 MS培養(yǎng)基母液及培養(yǎng)基配制參數(shù)一覽表 母液 名稱 化學藥品名稱 培養(yǎng)基配方用量mg/L 擴大倍數(shù) 擴大后稱量mg 母液定容體積ml 配制1 L 培養(yǎng)基吸取量ml/L 大 量 元 素 硝酸銨 NH4NO3 硝酸鉀 KNO3 硫酸鎂 MgSO47H2O 磷酸二氫鉀 KH2PO4 1650 1900 370 170 10 10 10 10 16500 19000 3700 1700 1000 100 氯化鈣 CaCl22H2O 440 10 4400 1000 100 微 量 元 素 硫酸錳 MnSO44H2O 硫酸鋅 ZnSO47H2O 氯化鈷 CoCl26H2O 硫酸銅 CuSO45H2O 鉬酸鈉 Na2MoO42H2O 碘化鉀 KI 硼酸 H3BO3 22.3 8.6 0.025 0.025 0.25 0.83 6.2 100 100 100 100 100 100 100 2230 860 2.5 2.5 25 83 620 1000 10 鐵 鹽 硫酸亞鐵 FeSO47H2O 乙二胺四乙酸二鈉 Na2-EDTA 27.8 37.3 200 200 5560 7460 1000 5 有 機 物 質 煙酸 鹽酸吡哆素 鹽酸硫胺素 肌醇 甘氨酸 0.5 0.5 0.1 100 2.0 100 100 100 100 100 50 50 10 10000 200 1000 10 DB11/T 11442014 7 B &nbsp;B &nbsp;附 錄 B （資料性附錄） 春石斛蘭栽培設施處理常用方法及常用藥劑一覽表 表B.1給出了春石斛蘭栽培設施處理的環(huán)節(jié)及方法。 表B.1 &nbsp;春石斛蘭栽培設施處理常用方法及常用藥劑一覽表 處理環(huán)節(jié) 處理方式 常用藥劑 除蟲 噴霧 1.辛硫磷乳油(a.i.40%)100g/100L125g/100L 。 2.敵敵畏（a.i.77.5%）100mL/100L 。 滅菌 熏蒸 1.百菌清煙劑(a.i.45%)100g/667m2150g/667m2。 2.腐霉利煙劑(a.i.50%)100g/667m2150g/667m2。 3.異丙威煙劑(a.i.10%)350g/667m2400g/667m2。 雙效處理 熏蒸 1.硫磺粉熏蒸。 2.異丙威煙劑(a.i.10%)350g/667m2400g/667m2。</p>